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全球記憶體晶片龍頭韓國三星傳出下半年將投入至少1兆韓元（約折合7.9億美元），發展DRAM與NAND Flash（快閃記憶體）技術，再度引爆記憶體業製程大戰。

相較於三星大規模投入資金發展先進製程，台灣DRAM廠目前僅南科、華亞科仍有餘力投資新世代技術；力晶雖然合作夥伴爾必達（Elpida）有技術，但礙於目前財務狀況吃緊，今年暫無導入新製程規劃。

投信法人指出，三星現階段財務狀況最好的記憶體晶片廠，隨其積極投入新製程研發，將對同業造成不小壓力，尤其目前部分台灣DRAM廠面臨資金水位偏低窘境，在改善自身財務結構之餘，還要面對三星的技術挑戰，產業後續變化值得關注。

外電報導，三星正積極規劃投入40奈米DRAM製程與30奈米NAND型快閃記憶體製程技術，預計在下半南投入至少1兆韓元。

三星半導體部門總裁Kwon Oh-hyun證實，該公司確實有提高下半年資本支出的計畫。不過，由於現階段記憶體產業仍尚未脫離衰退陰霾，因此對擴充產能將持更謹慎的態度。

三星預計在24日公布第二季財報，但該公司已在本月初破天荒首度揭露第二季營運預估，估計合併營收約介於31兆至33兆韓元，合併營業利益則在2.2兆至2.6兆韓元，都比市場分析師預期來得出色。

儘管現階段記憶體價格仍未有顯著轉強態勢，但已有部分分析師認為市場狀況將可望逐步改善。

台灣DRAM廠 皮繃緊

三星傳出下半年將投入大筆資金發展記憶體先進製程，對於台灣DRAM廠來說，又將面臨一次嚴峻的考驗。

DRAM廠目前最欠缺的就是金援，以現在全球DRAM業者來看，很難靠一己之力對外籌資。也因此，包括韓國、日本等國政府都已出手金援，相形之下，台灣DRAM廠迄無政府資金奧援，儼然落居劣勢。

由於資金壓力緊迫，加上政府產業再造計畫仍沒有進一步具體動作，甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位，近期台塑集團旗下南科、華亞科已搶先發動募資計畫，將有助提升台灣DRAM 產業競爭力與韓系業者勢力抗衡。

伴隨南科與華亞科陸續對外募資，銀彈陸續上膛後，未來發展新製程之路也將比其他同業更形順利；而在台塑集團已表態不加入TMC聯盟下，未來兩大陣營之間的角力，將成為市場矚目的焦點。

【經濟日報╱記者周志恆】

南韓三星電子全面調高資本支出。三星計劃下半年投入7.9億美元、31億美元，分別用來擴充DRAM、面板廠產能，由於三星是全球最大DRAM廠暨面板（TFT-LCD）廠，一旦啟動擴產，全球雙D產業產能競賽噩夢恐將再現。

DRAM和面板業為我國兩兆產業，業界擔憂表示，去年以來全球雙D廠商紛紛減產，以降低虧損並改善產業供需失衡狀況，正當記憶體和面板產業景氣剛要從底部緩步回溫，三星此時展開大手筆擴產計畫，恐使雙D產業景氣再陷陰霾。

在全球各大DRAM廠正全力切入50奈米DRAM製程之際，全球最大DRAM廠南韓三星（Samsung）計劃下半年投入至少1兆韓元（約7.9億美元），切入更先進的40奈米DRAM製程與30奈米NAND Flash製程。國內DRAM廠商包括南科、華亞科、力晶、茂德等下半年也加速轉進65奈米和50奈米製程，藉由製程提升，確保不被三星龐大的產能壓力給逼出市場，並藉由先進製程來降低DRAM顆粒產出成本，紓緩現金流出的壓力。

根據南韓媒體電子媒體ETnews報導，DRAM導入50奈米製程，DRAM的產量，可比60奈米製程多產出25%到30%，40奈米又比50奈米多產出至少20%。

台股17日雖突破6,800點高檔賣壓區，但成交量未能有效放大，顯示資金觀望氣氛濃厚。在大盤難脫整理格局下，資金開始檢視季報成績單，受到國際記憶卡廠財報佳鼓舞，國內記憶體（DRAM）模組族群連袂大漲。

國際大廠東芝（Toshiba）與新帝（SanDisk）財報傳出佳音，預期國內DRAM模組廠表現也將優於預期，使得股價走揚。

國內記憶體模組龍頭創見（2451）17日高掛漲停，委買張數超過6,000張；威剛（3260）與勁永（6145）漲幅也超過5%，族群漲勢強勁，

台証證券表示，DRAM模組產業進入門檻不高，競爭相當激烈，創見擁有自有品牌，且通路實力強，雖然過去兩年記憶體產業供過於求，致產品價格下滑，但創見庫存控管佳，維持營運成果。

今年在記憶體價格較去年穩定下，有利創見提升獲利能力。

群益證券指出，去年多數DRAM模組廠皆面臨營運虧損，創見卻仍能維持獲利，預估今年營收將持續成長。

大華投顧看好DRAM模組將成為20～24日主流股，受到第三季需求強勁、DDR3躍升為主流以及SSD滲透率提升鼓舞，帶動股價有表現機會。

凱基投顧認為，隨著進入第三季旺季，DRAM模組擁有營收成長題材，相關個股可望有表現機會。

群益創新科技基金經理人許家豪表示，Intel財報優於預期，使得市場對個人電腦（PC）下半年需求轉趨樂觀，加上NAND Flash價格回穩與需求帶動，激勵記憶體模組廠股價表現走高。

不過，許家豪說，目前反映的仍在題材面，主要是在CULV平台帶動下，雖可帶動DDR記憶模組需求，但初期主要仍是原廠的受惠程度較大，加上DRAM的實質需求並未大幅提升，後市仍應關注基本面是否能跟上股價漲幅。

台積電董事長張忠謀30日將以總執行長身分主持法說會，近一個多月來，他密集造訪國內外客戶，客戶端傳出，他將上修今年半導體產值預估值，從年衰退20%縮小到15%以內，這是台積電今年第二次上調全球半導體市場產值。

法人認為，若台積電再度上修今年半導體產值，台積電第三季營收成長幅度，可望從公司原本預期的0%至5%，提高到5%至10%，優於預期。台積電17日進入除權息第三天，收盤價54元，小跌0.1元，填權息幅度約48%。

受到金融風暴襲擊，台積電去年底原預估，今年全球半導體產值將較去年衰退30%，衰退幅度前所未見，但今年首季，半導體景氣因大陸急單效應提前觸底，4月台積電第一次上修全球半導體產值，由預估負30%縮小到負20%。

台積電第二季合併營收742.12億元，略高於上季法說預估的740億元高標，季成長幅度88%，表現略低於外資預期，這與台積電40奈米良率改善中有關。

半導體大廠英特爾釋出對第三季展望相對樂觀的訊息，張忠謀6月12日上任以來，積極造訪重要客戶，客戶端指出，張忠謀認為，客戶訂單掌握度提高，需求比預期好，庫存水位健康，雖然第四季可能因淡季調節，需求不如第三季，但整體而言，下半年比上半年的需求明顯恢復，全球半導體產值年衰退幅度有機會再縮小至15%以內。

張忠謀6月中回任執行長，就先在台積電技術論壇宣布，調高今年資本支出，從15億美元調高至18億美元，與去年差不多。

他表示，全球經濟大國美國景氣最快第三季觸底，第四季復甦，整體復甦要等到2010年，至於半導體產業的長期復甦之路緩慢，除了以向左旋轉的「L」型呈現外。

他估計，半導體最壞時間雖過去，復甦之路卻很長，2012年後才能會回到去年水準，且全球半導體產業產值即使恢復，每年也將僅成長5% ，晶圓代工業產值或許多一點，約6%。